Nature Materials, Published online: 27 October 2026; doi:10.1038/s41563-026-02780-7
Intrinsic electric polarization in III-nitride semiconductors is an advantage for large-scale optoelectronic devices but remains largely unexplored in sensory-memristive devices. Polarization-induced spatial separation of photogenerated carriers at the interfaces of III-nitride heterostructures enables efficient and scalable in-sensor computing at room temperature.III-nitride-based in-sensor computing enabled by interfacial polarization effects
स्रोत Nature 材料8 दिन पहले
सामग्री सारांश
Nature Materials, Published online: 27 October 2026; doi:10.1038/s41563-026-02780-7
Full Text
Full text provided by the source Nature 材料 via RSS; copyright belongs to the original publisher.
यह साइट केवल शीर्षक और सारांश सूचकांक प्रदान करती है, पूरी सामग्री और कॉपीराइट मूल प्रकाशक के पास हैं, कृपया मूल लिंक पर क्लिक करके पढ़ें।
मूल पाठ पर जाएं- संबंधित चैनल
- विज्ञान
- संबंधित क्षेत्र
- वैश्विक दृष्टिकोण
- मूल भाषा
- English
- प्रविष्टि संख्या
- science-a010bcb9
Comments 0 comments
No comments yet. Be the first.