Comparative analysis of gate-dielectric effects on the analog and linearity performance of MoS2-, MoSe2-, and WS2-based FETs
Sumber Nature 物理科学5 hari lalu
Ringkasan kandungan
Laman ini hanya menyediakan indeks tajuk dan ringkasan, kandungan penuh dan hak cipta adalah milik pihak penerbit asal, sila klik pautan asal untuk membaca.
Pergi ke artikel asal- Saluran berkaitan
- Sains
- Kawasan berkaitan
- Perspektif global
- Bahasa teks asal
- English
- Nombor entri
- science-ab7f1cf5
Comments 0 comments
No comments yet. Be the first.