Nature Materials, Published online: 27 October 2026; doi:10.1038/s41563-026-02780-7
Intrinsic electric polarization in III-nitride semiconductors is an advantage for large-scale optoelectronic devices but remains largely unexplored in sensory-memristive devices. Polarization-induced spatial separation of photogenerated carriers at the interfaces of III-nitride heterostructures enables efficient and scalable in-sensor computing at room temperature.III-nitride-based in-sensor computing enabled by interfacial polarization effects
Bron Nature 材料7 dagen geleden
Samenvatting van de inhoud
Nature Materials, Published online: 27 October 2026; doi:10.1038/s41563-026-02780-7
Full Text
Full text provided by the source Nature 材料 via RSS; copyright belongs to the original publisher.
Deze site biedt alleen een index van titels en samenvattingen. De volledige inhoud en het auteursrecht behoren toe aan de oorspronkelijke uitgever. Klik op de originele link om te lezen.
Ga naar het origineel- Behorend kanaal
- Wetenschap
- Behorende regio
- Wereldwijd perspectief
- Taal van het origineel
- English
- Itemnummer
- science-a010bcb9
Comments 0 comments
No comments yet. Be the first.