Comparative analysis of gate-dielectric effects on the analog and linearity performance of MoS2-, MoSe2-, and WS2-based FETs
Bron Nature 物理科学5 dagen geleden
Samenvatting van de inhoud
Deze site biedt alleen een index van titels en samenvattingen. De volledige inhoud en het auteursrecht behoren toe aan de oorspronkelijke uitgever. Klik op de originele link om te lezen.
Ga naar het origineel- Behorend kanaal
- Wetenschap
- Behorende regio
- Wereldwijd perspectief
- Taal van het origineel
- English
- Itemnummer
- science-ab7f1cf5
Comments 0 comments
No comments yet. Be the first.