Comparative analysis of gate-dielectric effects on the analog and linearity performance of MoS2-, MoSe2-, and WS2-based FETs
Źródło Nature 物理科学5 dni temu
Streszczenie treści
Ta strona udostępnia jedynie indeks tytułów i streszczeń; pełna treść i prawa autorskie należą do pierwotnego wydawcy. Kliknij link do oryginału, aby przeczytać.
Przejdź do oryginału- Kanał przynależności
- Nauka
- Region przynależności
- Perspektywa globalna
- Język oryginału
- English
- Numer pozycji
- science-ab7f1cf5
Comments 0 comments
No comments yet. Be the first.