Comparative analysis of gate-dielectric effects on the analog and linearity performance of MoS2-, MoSe2-, and WS2-based FETs
Источник Nature 物理科学4 дней назад
Аннотация
Сайт предоставляет только заголовки и индексы аннотаций; полный контент и авторские права принадлежат первоисточнику. Для чтения перейдите по ссылке на оригинал.
Перейти к оригиналу- Канал
- Наука
- Регион
- Глобальный взгляд
- Язык оригинала
- English
- Номер записи
- science-ab7f1cf5
Comments 0 comments
No comments yet. Be the first.