Comparative analysis of gate-dielectric effects on the analog and linearity performance of MoS2-, MoSe2-, and WS2-based FETs
แหล่งที่มา Nature 物理科学5 วันที่แล้ว
บทคัดย่อเนื้อหา
เว็บไซต์นี้ให้บริการเฉพาะดัชนีหัวข้อและบทคัดย่อเท่านั้น เนื้อหาฉบับเต็มและลิขสิทธิ์เป็นของเจ้าของผู้เผยแพร่เดิม โปรดคลิกลิงก์ต้นฉบับเพื่ออ่าน
ไปยังต้นฉบับ- ช่องที่สังกัด
- วิทยาศาสตร์
- ภูมิภาคที่สังกัด
- มุมมองระดับโลก
- ภาษาต้นฉบับ
- English
- หมายเลขรายการ
- science-ab7f1cf5
Comments 0 comments
No comments yet. Be the first.