Comparative analysis of gate-dielectric effects on the analog and linearity performance of MoS2-, MoSe2-, and WS2-based FETs
Pinagmulan Nature 物理科学5 araw ang nakalipas
Buod ng nilalaman
Ang site na ito ay nagbibigay lamang ng index ng pamagat at buod; ang buong nilalaman at copyright ay pag-aari ng orihinal na tagapaglathala. Mangyaring i-click ang orihinal na link upang basahin.
Pumunta sa orihinal na teksto- Kabilang channel
- Agham
- Kabilang rehiyon
- Pandaigdigang pananaw
- Wika ng orihinal
- English
- Numero ng entry
- science-ab7f1cf5
Comments 0 comments
No comments yet. Be the first.