Comparative analysis of gate-dielectric effects on the analog and linearity performance of MoS2-, MoSe2-, and WS2-based FETs
Kaynak Nature 物理科学5 gün önce
İçerik özeti
Bu site yalnızca başlık ve özet dizini sunar; tam içerik ve telif hakkı asıl yayıncıya aittir, lütfen okumak için orijinal bağlantıya tıklayın.
Orijinal metne git- Ait olduğu kanal
- Bilim
- Ait olduğu bölge
- Küresel bakış
- Orijinal dil
- English
- Kayıt numarası
- science-ab7f1cf5
Comments 0 comments
No comments yet. Be the first.