Nature Materials, Published online: 27 October 2026; doi:10.1038/s41563-026-02780-7
Intrinsic electric polarization in III-nitride semiconductors is an advantage for large-scale optoelectronic devices but remains largely unexplored in sensory-memristive devices. Polarization-induced spatial separation of photogenerated carriers at the interfaces of III-nitride heterostructures enables efficient and scalable in-sensor computing at room temperature.通过界面极化效应实现基于 III 氮化物的传感器内计算
来源 Nature 材料5 天前
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《自然材料》，在线发表：2026 年 10 月 27 日； doi:10.1038/s41563-026-02780-7
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